| 专利名称 | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | 申请号 | CN201410020977.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103852171A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩 | 主分类号 | G01J5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/02(2006.01)I;G01J5/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 至一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm 1200nm；第二金属层是膜厚为8nm 12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm 100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本发明所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8 14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。 |
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