| 专利名称 | μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201320733349.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203629298U | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 | 主分类号 | F27B17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | F27B17/02(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 专利有效期 | μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉 至μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了?-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射?-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。 |
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