| 专利名称 | 一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管 | 申请号 | CN201410086559.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103840007A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管 至一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管，属于半导体技术领域。所述晶体管包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；第一导电类型的源掺杂区；第二导电类型的阱区；表面沟道区；栅介质层；多晶硅栅极；位于外延层表面的金属源电极和位于衬底背面的金属漏电极；位于栅介质层表面上方的绝缘介质层；垂直位于阱区下方且水平覆盖栅介质层上方无绝缘介质层部分的高浓度第二导电类型的电场屏蔽层；位于电场屏蔽层之间的第一导电类型的JFET区；绝缘介质层与电场屏蔽层构成屏蔽栅结构。本发明通过屏蔽栅结构，改变了VDMOS阻断状态下的电场分布与重离子轰击后载流子的输运路径，达到了提高器件抗单粒子能力的目的。 |
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