| 专利名称 | 基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法 | 申请号 | CN201410085381.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103838093A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 程依光;朱江平;胡松;赵立新;陈磊;刘俊伯 | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法 至基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于拼接光栅莫尔条纹相位解调的纳米光刻对准方法。该方法以拼接光栅那作为掩模、工件台对准标记，以莫尔条纹相位信息为掩模-工件台对准偏差的载体，通过多像素点的相位提取直接计算出掩模和基片的对准偏差，从而实现掩模工件台的快速对准。降低了对工件台精度和速度指标的依赖，既保证了对准精度，又提高了对准效率。 |
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