| 专利名称 | 等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法 | 申请号 | CN201410047959.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103834052A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邵涛;牛铮;章程;杨文晋 | 主分类号 | C08J7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C08J7/00(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I | 专利有效期 | 等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法 至等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法，所述的方法利用金属电极在脉冲电源激励下放电产生低温等离子体，在有机玻璃表面形成憎水表面结构；改变有机玻璃绝缘材料表面的粗糙度和表面能，通过表面改性降低二次电子发射系数，从而提高有机玻璃在真空条件下的沿面耐压性能。 |
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