| 专利名称 | 一种相变存储器写加速方法及其系统 | 申请号 | CN201410064466.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103839580A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院计算技术研究所 | 发明（设计）人 | 李冰;胡瑜;单书畅;李晓维 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器写加速方法及其系统 至一种相变存储器写加速方法及其系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种相变存储器写加速方法，该方法包括：Partial-SET写操作判断步骤和写请求执行步骤，Partial-SET写操作判断步骤为判断相变存储器中当前写请求采用的写脉冲类型为SET或Partial-SET脉冲；写请求执行步骤为根据写脉冲类型，采用SET或快速Partial-SET方法，根据SET和RESET操作的不同写速度实现相变存储器的快速Partial-SET写加速，本发明还公开了一种相变存储器的写加速系统。 |
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