| 专利名称 | 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 | 申请号 | CN201410085838.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103839946A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 付振;尹志岗;张兴旺;赵亚娟;陈诺夫;吴金良 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 至基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T-BiFeO3铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T-BiFeO3铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T-BiFeO3铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障