| 专利名称 | 微电极阵列植入式芯片及其制备方法 | 申请号 | CN201210487381.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103829938A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 蔚文婧;蔡新霞;宋轶琳;刘春秀;蒋庭君;石文韬;林楠森;王蜜霞;徐声伟 | 主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | IPC主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | 专利有效期 | 微电极阵列植入式芯片及其制备方法 至微电极阵列植入式芯片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种微电极阵列植入式芯片及其制备方法。该微电极阵列植入式芯片包括：基底，其前端呈针状，向后逐渐增宽；测试电极层，形成于基底上，包括：至少一种的微电极阵列；绝缘层，形成于除微电极阵列所在区域之外的基底上；以及参比电极层，形成于绝缘层上，与测试电极层的微电极阵列相互错开，包括与至少一种微电极阵列相对应的参比电极。本发明中，参比电极与测试电极分布在不同平面上，从而节约了芯片面积，方便进行植入式操作。 |
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