| 专利名称 | 一种低温晶圆键合方法 | 申请号 | CN201210491190.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103832970A | 公开（授权）日 | 2014.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;李运;王盛凯;张雄;郭浩;孙兵;常虎东;赵威 | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温晶圆键合方法 至一种低温晶圆键合方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。 |
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