| 专利名称 | 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201410083290.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103824920A | 公开（授权）日 | 2014.05.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈红梅;金鹏;王占国 | 主分类号 | H01L33/24(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/24(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 至输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂的折射率渐变层、n型掺杂的下包层、n型掺杂的下波导层、有源区、p型掺杂的上波导层、p型掺杂的上包层、p型掺杂的折射率渐变层和p型重掺杂接触层，形成外延片；在外延片上向下刻蚀，形成凸起漏斗型台面；在其上表面生长绝缘介质膜，刻蚀绝缘介质膜，在外延片上面制备p型电极；在其上横向刻蚀出两个电隔离区，使其被分割成三个功能区，完成制备。本发明可实现器件在实际应用中可以在保持输出光谱形状基本不变的条件下在一定范围内调节其输出功率大小。 |
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