| 专利名称 | 单模光子晶体边发射半导体激光器 | 申请号 | CN201410083323.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103825194A | 公开（授权）日 | 2014.05.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;刘磊;刘云;渠红伟;张冶金;郭文华;石岩 | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/065(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 单模光子晶体边发射半导体激光器 至单模光子晶体边发射半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。 |
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