| 专利名称 | 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺 | 申请号 | CN201310736927.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103820767A | 公开（授权）日 | 2014.05.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 端伟元;邱羽;俞健;卞剑涛;刘正新 | 主分类号 | C23C14/58(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/58(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺 至一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。 |
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