| 专利名称 | LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法 | 申请号 | CN201410035607.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103820856A | 公开（授权）日 | 2014.05.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;杨蕾;岳银超 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I | 专利有效期 | LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法 至LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100℃去离子水中加入Li2MoO4和H3BO3，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10℃，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1℃/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。 |
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