| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210447834.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811341A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层进行构图，以形成初始鳍；对第一半导体层进行各向异性刻蚀，以在其中形成∑型横向凹入；在衬底上形成隔离层，所述隔离层填充所述横向凹入，且除了填充所述横向凹入的部分之外，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，从而限定出位于隔离层上方的鳍；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 |
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