| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210451050.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811321A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开。 |
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