| 专利名称 | 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 | 申请号 | CN201410077528.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811305A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 至一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：生长半绝缘砷化镓层；步骤4：生长砷化镓盖层；步骤5：抛光、清洗、封装，完成衬底的制备。本发明提出的上述方法中采用超高真空化学气相沉积从硅衬底过渡到锗层，通过底层锗的弛豫来消除4％的应变，由于砷化镓与锗的晶格失配只有800ppm，利用超高真空化学气相外延从硅衬底到锗层，避免了失配位错的产生，采用高低温砷化镓层的配合来解决反向畴的问题。 |
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