| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210448013.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811344A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分，从而限定出位于隔离层上方的鳍；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠，其中，所述第一半导体层包括化合物半导体，且所述化合物半导体中的至少一种成分的浓度沿第一半导体层和第二半导体层的堆叠方向具有渐变分布。 |
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