| 专利名称 | InGaAs红外光探测器 | 申请号 | CN201410078922.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811580A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韦欣;许斌宗;宋国峰;刘杰涛;徐云;相春平;付东 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I | 专利有效期 | InGaAs红外光探测器 至InGaAs红外光探测器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；金属光栅层为一维周期性亚波长光栅；下掺杂层和上掺杂层均为掺杂类型相异的重掺杂的InGaAs材料，两者分别与吸收层构成pin结构，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明InGaAs红外光探测器利用一维周期性金属光栅激发表面等离子体效应和瑞利伍德异常效应，使得可以在不损失吸收率的情况下，增强器件的响应速度。 |
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