| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210448458.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811345A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成初始鳍；选择性刻蚀初始鳍中的第一半导体层，使其横向凹入；在所述横向凹入中填充电介质，以形成体侧墙；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述体侧墙的一部分，从而限定出位于隔离层上方的鳍；以及在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠。 |
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