| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210448686.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811346A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成鳍；在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分；向鳍下方的衬底进行离子注入，以形成穿通阻挡部；在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠；以栅堆叠为掩模，选择性刻蚀第二半导体层，以露出第一半导体层；选择性刻蚀第一半导体层，以在第二半导体层下方形成空隙；在衬底上形成第三半导体层，用以形成源/漏区。 |
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