| 专利名称 | 一种同轴纳米电缆的制备方法 | 申请号 | CN201210455309.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103811131A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 师大伟;韩秀峰 | 主分类号 | H01B13/016(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/016(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种同轴纳米电缆的制备方法 至一种同轴纳米电缆的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。 |
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