| 专利名称 | 一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201310743499.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103803956A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 姜少虎;张奕;林慧兴;陈玮;罗澜 | 主分类号 | C04B35/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/16(2006.01)I;C04B32/00(2006.01)I;C03C3/091(2006.01)I;C03C3/064(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用 至一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用。所述材料是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B2O3、SiO2和Al2O3，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。该材料的制备是首先按所述玻璃材料的组成进行配料，制得玻璃粉体，然后将玻璃粉体与陶瓷粉体按比例混合均匀，制得低温共烧陶瓷粉体；再将所得低温共烧陶瓷粉体在850～900℃下进行烧结。实验证明，本发明所提供的低温共烧陶瓷材料，具有高频低介电损耗性能，可满足贴片式元器件的应用要求。 |
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