| 专利名称 | 一种相变存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN201410057134.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103794721A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;黄荣;张杰;卫芬芬;程国胜 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储单元及其制备方法 至一种相变存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本发明易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。 |
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