| 专利名称 | 增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法 | 申请号 | CN201210418831.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103794513A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 朱春生;罗乐;徐高卫;宁文果 | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 专利有效期 | 增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法 至增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。 |
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