| 专利名称 | 新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201310740539.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103794726A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 靳志文;王吉政 | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用 至新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用。该薄膜有机光电导探测器，包括基底，PIN结构光敏感层和在其上的图案化的电极层。该探测器结合了本征有机层（P层和N层）的高迁移率和有机异质结层（I层，由P层与N层有机材料混合而成）能产生高浓度的光自由电荷的优点。高迁移率导致了短的电子渡越时间，高浓度的光自由电荷的产生意味着高的外量子效率。所以当光照射到器件上时，材料吸光产生载流子很快并大量的被电极收集从而产生高的光电流与光电性能，从而提高了探测器的灵敏度。因此，这种薄膜有机光探测器具有重要的应用价值。 |
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