| 专利名称 | 用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法 | 申请号 | CN201410053534.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103789832A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明（设计）人 | 陈俊锋;杜勇;王绍华;陈立东 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法 至用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法，所述嵌套式坩埚包括用于容纳晶体生长原料的内层坩埚和用于提供密封环境的可抽真空的外层坩埚，其中所述外层坩埚为石英坩埚，所述内层坩埚为金属基坩埚或碳基坩埚；所述外层坩埚比所述内层坩埚长，以能够在熔封后完全包围所述内层坩埚；所述内层坩埚的外壁与所述外层坩埚的内壁之间的间距不小于0.6mm。本发明的嵌套式坩埚结合了石英坩埚、金属基和碳基坩埚的优点，有效地消除了它们各自的劣势，从而可以用于高质量的非掺杂和掺杂碘化锶晶体的生长。 |
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