| 专利名称 | 一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法 | 申请号 | CN201410072323.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103794644A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 艾立鹍;徐安怀;齐鸣;周书星 | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法 至一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300-350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH3于1000℃进行裂解，得到P2用作Ps源，调节气源炉PH3压力PV为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。 |
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