| 专利名称 | 晶体管阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201310011220.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779272A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 王中林;武文倬;温肖楠 | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管阵列及其制备方法 至晶体管阵列及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种晶体管阵列，包括基底以及共用该基底的若干个晶体管单元，所述晶体管单元包括：位于所述基底上的底电极和底电极连出线；所述底电极上的压电体，所述压电体为压电材料；所述压电体上的顶电极。相应地，本发明还提供一种晶体管阵列的制备方法。所述晶体管阵列的晶体管单元是两端器件，晶体管单元的顶电极和底电极之间采用具有压电性质的压电体，通过加在晶体管单元上的应力应变对晶体管阵列器件中晶体管单元的载流子输运过程进行有效地调控或触发。 |
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