| 专利名称 | 一种结构型吸波材料及其制作方法 | 申请号 | CN201410047908.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779667A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 董凤良;徐丽华;宋志伟;褚卫国 | 主分类号 | H01Q17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01Q17/00(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种结构型吸波材料及其制作方法 至一种结构型吸波材料及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在硅衬底材料上制作的吸波材料及其制备方法，所述方法包括：在衬底上沉积一层金属膜；然后采用ICPECVD沉积含硅层；旋涂电子束光刻胶，曝光光刻胶，形成周期结构的光刻胶图形；再沉积一层金属膜并进行剥离，最终形成金属膜/含硅介质层/具周期结构的金属膜的吸波材料。本发明提供的方法简单可行，可以通过调整周期结构的形状、周期和介质层的厚度调节电磁波的吸收频段，使制得的吸波材料具备较好的吸波性能。 |
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