| 专利名称 | 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件 | 申请号 | CN201320739599.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203588990U | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 高博;丁凯凯;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;孙博韬 | 主分类号 | H01L23/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件 至一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。本实用新型通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。 |
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