| 专利名称 | 一种IGBT缓冲吸收电路 | 申请号 | CN201320761013.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203590070U | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 黎齐;朱阳军;胡少伟;卢烁今 | 主分类号 | H02M7/5387(2007.01)I | IPC主分类号 | H02M7/5387(2007.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT缓冲吸收电路 至一种IGBT缓冲吸收电路 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT缓冲吸收电路，属于晶体管技术领域。该缓冲吸收电路包括IGBT开关、电阻、电容、二极管和压敏电阻；其中，电容与二极管串联，与压敏电阻并联，在与电容串联，形成部件后，最后与IGBT开关并联。本实用新型通过压敏电阻，其阻值在纳秒级速度迅速减小，在很短时间内电容充电吸收尖峰电压，能很好的保护IGBT管。一个周期内缓冲电阻消耗功率为P=V2/4R，比一般RCD型吸收电路损耗更小。 |
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