| 专利名称 | 准纳米线晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201210407807.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779226A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 准纳米线晶体管及其制造方法 至准纳米线晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种准纳米线晶体管及其制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；在SOI层上形成鳍片基体，所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层；在鳍片基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍片基体以及其下的SOI层形成准纳米线鳍片；横跨所述准纳米线鳍片形成栅堆叠。该方法可以有效地控制栅长特性。本发明还提供了根据上述方法形成的半导体结构。 |
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