| 专利名称 | 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 | 申请号 | CN201410039896.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779497A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 付英春;王晓峰;杨富华 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 至基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于埋层的垂直结构存储器的制备方法。该方法采用填埋下电极和存储功能材料层，不仅可以实现良好的电热绝缘，而且避开了以往制备此类垂直结构器件对化学机械抛光(CMP)的依赖。该方法在电子束曝光、聚焦粒子束刻蚀等高精度线性光刻手段，及高精度的薄膜淀积与刻蚀工艺辅助下，解决了以往研发此类垂直结构由CMP技术的研发瓶颈所导致的研发周期长、难度大、成本高、适用性差的缺点，并在制备精度、制备效率、经济性以及与现有的CMOS工艺兼容性等方面具有很大的优越性。 |
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