超导纳米线单光子探测器的制备方法

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专利名称 超导纳米线单光子探测器的制备方法 申请号 CN201410022869.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103779443A 公开(授权)日 2014.05.07 申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 赵璐;金贻荣;邓辉;郑东宁 主分类号 H01L31/18(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 专利有效期 超导纳米线单光子探测器的制备方法 至超导纳米线单光子探测器的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种制备超导纳米线单光子探测器的方法,包括:在一硬性基底上形成与预定图形一致的硬模图形,所述硬模图形从所述硬性基底的基本平坦的表面向上凸起,通过热压印工艺将所述硬模图形转移到一软模上形成软模板;提供一超导材料形成的超导薄膜层,所述超导薄膜层上涂覆有一层紫外光固化胶层;通过紫外压印工艺将所述软模上的图形转移到所述紫外光固化胶层上,以便在所述紫外光固化胶层上形成掩模图形;以及利用所述掩模图形,采用反应离子刻蚀工艺在所述超导薄膜层上形成由具有所述预定图形的所述超导纳米线。本发明的方法具有高效率、高分辨率、低成本的优点,且工艺简单,适于生产大探测面积或阵列形式的超导纳米线单光子探测器。

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