| 专利名称 | 一种集成式微阵列电极的制备方法 | 申请号 | CN201410071909.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103776883A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 董绍俊;余登斌;徐晓龙;刘长宇;翟俊峰;白露 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成式微阵列电极的制备方法 至一种集成式微阵列电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种集成式微阵列电极的制备方法，将第一电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将第二电极材料熔封于第一细玻璃管的一端，从另一端加入第一导电介质，连接导线密封得到对电极；将第三电极材料熔封于第二细玻璃管的一端，然后从另一端插入第四电极材料并在管中封存一段电解质溶液得到参比电极；将上述电极与多根第一玻璃毛细管插进玻璃管之间空隙填充玻璃制品，再灌装第二导电介质，连接导线密封得到集成式微阵列电极。与现有技术相比，本发明采用玻璃管封装集成式微阵列电极，使其集成于一体，使用方便，且电极间距固定，样品批次检测试验误差较小；采用玻璃管封装使制备的微阵列电极耐腐蚀、抗污染性较强、稳定性较好。 |
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