| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210417331.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779229A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括衬底(130)、支撑结构(131)、基底区(100)、栅堆叠、侧墙(240)以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区(100)之上，所述基底区(100)由支撑结构(131)支撑于所述衬底(130)之上，其中所述支撑结构(131)的侧壁截面为内凹的曲线形；在所述基底区(100)两侧边缘下方存在隔离结构(123)，其中，部分所述隔离结构(123)与所述衬底(130)相连接；在所述隔离结构(123)和所述支撑结构(131)之间存在空腔(112)；以及至少在所述基底区(100)和隔离结构(123)的两侧存在源漏区。相应地，本发明还提供了该半导体结构的制造方法。 |
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