| 专利名称 | 鳍型场效应晶体管的制造方法 | 申请号 | CN201210407809.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779227A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍型场效应晶体管的制造方法 至鳍型场效应晶体管的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；由SOI层形成鳍结构基体；在鳍结构基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍结构基体形成位于源漏区（110）之间的鳍结构；横跨所述鳍结构形成栅堆叠。本发明提供的鳍型场效应晶体管的制造方法能在鳍型场效应晶体管中集成高k栅介质层和金属栅，以及应力材料源漏区，提升半导体器件的性能。 |
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