| 专利名称 | 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管 | 申请号 | CN201210395973.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779169A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 王卫国;李海洋 | 主分类号 | H01J49/16(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J49/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管 至一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明为一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管，其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门，利用脉冲电场将离子引入漂移区，仪器装配简单，易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电离子源、漂移区、栅网、离子接收极等构成；待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区，在高压电源提供的电场中飞行，最终被离子接收极接收检测。 |
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