| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210397791.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779212A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供SOI衬底(200)，所述衬底从下至上依次包括基底层(201)、绝缘埋层(202)和表面有源层(203)；在所述衬底上形成栅堆叠；去除所述栅堆叠两侧的表面有源层(203)以及部分绝缘埋层(202)，形成开口(240)；在所述开口(240)中填充半导体材料，形成源/漏区(250)。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过将源/漏区延伸至衬底绝缘埋层中，在降低源漏串联电阻的同时，不会造成栅极和源漏之间的寄生电容增大。 |
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