| 专利名称 | 一种硅纳米线径向异质结太阳电池的制备方法 | 申请号 | CN201410066901.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103779448A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 董刚强;张海龙;刘丰珍 | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/20(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种硅纳米线径向异质结太阳电池的制备方法 至一种硅纳米线径向异质结太阳电池的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硅纳米线径向异质结太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。本方法采用热丝化学气相沉积技术，依次在带有纳米线的单晶硅片上保角沉积本征和n型非晶硅薄膜，制备了结构为n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-SiNW的纳米线径向异质结太阳电池。借助于热丝化学气相沉积技术良好的原子氢处理和本征非晶硅钝化能力，使制备的纳米线径向异质结太阳电池的性能有了大幅提高。这种太阳电池结构新颖，性能优良，在光伏领域有着广泛的应用价值。 |
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