| 专利名称 | 压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310714087.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103771854A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉臣;董显林;姚烈 | 主分类号 | C04B35/493(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/493(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 压电陶瓷材料及其制备方法 至压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法，化学通式为：Pb1-xMx(Sb1/2Nb1/2)y(Mn1/3Sb2/3)z(ZreTif)1-y-zO3+awt.%Fe2O3+bwt.%Sm2O3+cwt.%MnO2+dwt.%Al2O3，其中，M为Sr2+和/或Ba2+；x=0.02～0.1，y=0.01～0.1，z=0.01～0.1，e=0.40～0.60，f=0.40～0.60且满足e+f=1；a=0～0.4，b=0～0.5，c=0～1.0，d=0～1.0且Fe2O3、Sm2O3、MnO2和Al2O34种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。本发明的压电陶瓷材料的主要性能为：d33=210pC/N，ε33T/ε0=585，tanδ=0.20%，kp=0.56，kt=0.54，Qm=1210。相对于一般的功率发射型压电陶瓷材料，本发明的压电陶瓷材料具有较低的介电常数、较小的介电损耗同时具有较高的机械品质因数和机电耦合系数，是一种性能优良的低介电常数、高机械品质因数功率发射型压电陶瓷材料。 |
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