| 专利名称 | MOS器件的STI应力效应建模方法及装置 | 申请号 | CN201410040388.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103778297A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;李书振;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | MOS器件的STI应力效应建模方法及装置 至MOS器件的STI应力效应建模方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种MOS器件的STI应力效应建模方法及装置，属于器件提参建模技术领域。所述方法包括：引入温度参数对MOS器件的STI应力效应的影响，形成MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；提取常温下的MOS器件的模型参数Model1；以Model1为基础，提取常温下STI应力对MOS器件性能影响的参数Model2；以Model2为基础，提取函数中MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数。所述装置包括：第一模块、第二模块、第三模块及第四模块。本发明通过建立MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数，能够准确地描述出温度对MOS器件STI应力效应的影响，使得提取的模型参数更加准确可靠。 |
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