| 专利名称 | 一种集成式微阵列电极的制备方法 | 申请号 | CN201410071940.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103776884A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 董绍俊;余登斌;翟俊峰;徐晓龙;白露;刘长宇 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成式微阵列电极的制备方法 至一种集成式微阵列电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种集成式微阵列电极的制备方法，将第一电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将第二电极材料熔封于细玻璃管的一端，从另一端加入第一导电介质，连接第一导线密封，得到参比电极兼对电极；将参比电极兼对电极与多根第一玻璃毛细管插进玻璃管中，空隙采用玻璃制品填充，再灌装第二导电介质，连接第二导线密封，得到集成式微阵列电极。与现有技术相比，首先本发明全部采用玻璃管封装集成式微阵列电极，从而使其集成于一体，使用方便，且电极间距固定，样品批次检测试验误差较小，同时采用玻璃管封装使制备的微阵列电极耐腐蚀、抗污染性较强、稳定性较好；其次，本发明参比电极兼对电极为一体，制作简单，维护方便。 |
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