| 专利名称 | 氧化物膜的制备方法 | 申请号 | CN201410045815.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103774114A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓峰;尹玉华;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化物膜的制备方法 至氧化物膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氧化物膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将氧化物粉末和石墨粉混合，放入反应舟中，反应舟放入石英反应管内；步骤S2：将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤S3：向石英反应管和反应舟内中分别通入惰性气体；步骤S4：加热石英反应管；步骤S5：调节反应舟和衬底的工作温度，调节石英反应管内的工作压力，向石英反应管内通入含氧气体，设定生长时间，在衬底上沉积氧化物薄膜，完成制备。本发明扩大了氧化物膜的制备范围，不仅可用于制备金属氧化物膜，也可用于制备非金属氧化物膜，特别是一些目前难以用其他方法制备的氧化物膜。 |
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