| 专利名称 | 一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410075532.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103771859A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 陈继新;赵国瑞;孙连东;苗磊;李美栓;周延春 | 主分类号 | C04B35/58(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法 至一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及陶瓷基复合材料领域，具体为一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法。该复合材料由钨二硼五增强相和碳化硅基体组成，钨二硼五增强相均匀弥散地分布于碳化硅基体中。采用碳化钨粉、碳化硼粉和硅粉，或者碳化钨粉、碳化硼粉、硅粉和碳化硅粉、钨二硼五粉之一种或两种为原料，经物理机械方法混合8～24小时，装入石墨模具中冷压成型，施加的压强为10～20MPa；在通有惰性气体保护气氛的热压炉内烧结，升温速率为1～20℃/分钟，烧结温度为1600～2000℃、烧结时间为0.5～3小时、烧结压强为10～300MPa。采用本发明方法能够实现原位合成制备碳化硅／硼化钨复合材料，其最佳性能为：硬度30GPa，抗弯强度达到900MPa，断裂韧性为6.1MPa·m1/2，电导率为6×105Ω-1m-1。 |
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