| 专利名称 | 强磁场辅助脉冲激光沉积系统 | 申请号 | CN201410033519.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103774097A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 戴建明;张科军;邹键;刘亲壮;盛志高;朱雪斌;吴文彬;孙玉平 | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 强磁场辅助脉冲激光沉积系统 至强磁场辅助脉冲激光沉积系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种强磁场辅助脉冲激光沉积系统，包括脉冲激光器、脉冲激光沉积柱状真空室，脉冲激光沉积柱状真空室包括带水冷却的双层夹套柱状腔，双层夹套柱状腔置入超导磁体的镗孔内；双层夹套柱状腔的一侧法兰盘装有基片加热台或激光加热台及其转动机构，双层夹套柱状腔的另一侧法兰盘装有靶组件及其移动/转动机构，基片加热台或者激光加热台和靶组件处于超导磁体的强磁场中部；脉冲激光沉积柱状真空室整体设于滑动导轨上，一侧法兰盘上还安装有密闭的激光导入腔和真空密封的视频装置导入腔。本发明制造成本低、结构合理、装配与操作简便、工作稳定可靠，可用于强磁场下的脉冲激光沉积薄膜原位生长和后退火热处理，实现对材料微结构和物性的调控作用。 |
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