| 专利名称 | 一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201410021115.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103753926A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明（设计）人 | 何宇;杨坤;陈荣;许凯;陈鸣才;方燕;许正敏 | 主分类号 | B32B33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B33/00(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;C09D165/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用 至一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于材料领域，具体涉及一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用。该导电涂层是通过化学氧化法使噻吩或噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上进行原位聚合得到的。聚合单体优选噻吩和3-甲基噻吩；绝缘聚合物膜优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基双马来酰亚胺或聚苯乙烯。此外，本发明还提供一种高导电率的聚噻吩导电涂层的制备方法，通过聚噻吩与绝缘聚合物膜的紧密连接，使得该导电涂层不仅具有优良的导电性同时还具有通用高分子的柔韧性。该导电涂层的导电率可达10-3S/cm量级，其可以应用于电磁波屏蔽、防静电和有机电子器件等领域。 |
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