| 专利名称 | 晶体管 | 申请号 | CN201190000074.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203573956U | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管 至晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种晶体管。本实用新型的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含在平行于衬底表面的方向上排列的多个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。 |
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