| 专利名称 | 一种旋转横向磁场耦合轴向磁场辅助电弧离子镀装置 | 申请号 | CN201320765133.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203569181U | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 赵彦辉;肖金泉;于宝海 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种旋转横向磁场耦合轴向磁场辅助电弧离子镀装置 至一种旋转横向磁场耦合轴向磁场辅助电弧离子镀装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于材料表面改性领域，具体为一种旋转横向磁场耦合轴向磁场辅助电弧离子镀装置。该装置的真空室内设置工件台、靶材，靶材正面与工件台相对；置于靶材后面的轴向磁场发生装置套在法兰或支撑圆筒上，与法兰或支撑圆筒之间通过绝缘保护；置于真空室外的旋转横向磁场发生装置套在靶材外侧的法兰或支撑圆筒上，与法兰或支撑圆筒之间通过绝缘保护；置于等离子体传输通道的轴向磁场发生装置套在真空室外侧的法兰或支撑圆筒上，与法兰或支撑圆筒之间通过绝缘保护。本实用新型通过旋转横向磁场控制弧斑的运动，改善弧斑的放电形式，提高弧斑运动速度及靶材表面大颗粒的发射，同时通过轴向磁场约束等离子体传输，提高等离子体的密度和利用率。 |
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