| 专利名称 | 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201410020887.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103762315A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孟庆波;徐余颛;石将建;罗艳红;李冬梅 | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 专利有效期 | 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 至钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；在所述有机金属半导体吸光层上形成的电子阻挡层，所述电子阻挡层由有机电子阻挡材料形成；以及在所述电子阻挡层上形成的金属对电极。本发明通过设置电子阻挡层实现了对电极与钙钛矿型有机卤化铅材料之间的欧姆接触，无需进行进一步掺杂即可以实现良好的背接触，避免了对钙钛矿型有机卤化铅材料进行难度较大的重掺杂，并获得高效率钙钛矿基薄膜太阳电池。 |
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